Radiation Hardness of 4H-SiC Devices and Circuits

Tid: Fr 2017-02-17 kl 10.00

Plats: Ka-Sal C (Sal Sven-Olof Öhrvik), KTH, Kistagången 16, Kista

Ämnesområde: Informations- och kommunikationsteknik

Respondent: Sethu Saveda Suvanam, Avdelningen för elektronik

Opponent: Professor Ulrike Grossner, Department of Information Technology and Electrical Engineering, ETH Zürich, Zürich, Switzerland

Handledare: Professor Anders Hallén

Hjälpte denna sida dig?
Tack för din åsikt!
2017-02-17T10:00 2017-02-17T10:00 Radiation Hardness of 4H-SiC Devices and Circuits (Informations- och kommunikationsteknik) Radiation Hardness of 4H-SiC Devices and Circuits (Informations- och kommunikationsteknik)
Till sidans topp