Bereder väg för ny typ av datalagring
NOTIS
Materialforskare vid KTH, National Institute of Standards and Technology (NIST) och University of Maryland har tillsammans lyckats skapa ett verktyg för att upptäcka ytterst små defekter på nanonivå i magnetiska material.
Verktyget ska kunna upptäckta bristerna oavsett om de befinner sig på ytan eller inuti de magnetiska materialen, och forskningen kan i förlängningen bland annat innebära att halvledarminnen av typen MRAM går en ljusnande framtid till mötes. Detta eftersom verktyget som en tänkbar applikation kan användas till att upptäcka brister i dessa minnen vid tillverkning.
MRAM står för Magnetic Random Access Memory och är ett halvledarminne under utveckling som lagrar data med hjälp av magnetiskt spinn. Strömsnålhet och snabbhet ska vara två av MRAM:s fördelar.
Lyuba Belova heter den KTH-forskare som varit involverad och hon kan nås på belova@mse.kth.se.
Peter Larsson
