Icke-invasiv Rds-on-mätning för SiC med hjälp av mätenheter för grinddrivare

Med den breda tillämpningen av SiC-kraftkomponenter i elfordon, högspännings-likströmsöverföring och ny energiproduktion har hur man övervakar deras hälsostatus i realtid blivit en viktig fråga för att förbättra systemets tillförlitlighet. I denna avhandling föreslås en icke-påträngande online-mätmetod baserad på gate-drivsidans mätenhet, där på-resistansen (Rds-on) hos SiC MOSFET:er används som ett hälsobedömningsindex. Genom att injicera en högfrekvent liten signalström under enhetens på-tillståndsperiod och kombinera differentiell spänningsdetektering, uppnår metoden en uppskattning av enhetens Rds-on utan strömsampling, vilket effektivt undviker problemen med sensorbandbredd och synkroniseringsfel i den traditionella metoden. I denna avhandling etablerades först den matematiska modellen för mätprincipen, och det funktionella förhållandet mellan den uppmätta spänningen och Rds-on härleddes. Därefter valideras cirkeldesignen genom LTSpice-simuleringsanalys. Den experimentella delen är baserad på kretskortet för mätverifiering, och resultaten visar att metodens uppskattningsfel kontrolleras inom 7 % i mätområdet 2−10 mΩ, och mätresultaten överensstämmer med simuleringstrenden, vilket verifierar metodens genomförbarhet och noggrannhet.